1200VIGBT是一种高压电力电子器件，主要用于电动汽车、智能电网等领域。该产品采用模块化设计形式并配置散热器组件和电连接件等附件来实现整体性能的提升和应用范围的扩大。在电压承载能力方面，该产品的额定工作压为955V(rms)，持续正向平均电流定额有36A、77A和84.([mA)三种规格可供选择其中小短路耐受直流电流值为两只晶体管中功率那只允许流过的值]；环境温度范围一般为---4oC一+lOC，其芯片由P型硅基板组成．与一般IGBT相比具有更小的结温升：它能在正负极两倍以上的高侧施加反向阳部浪涌脉冲而不发生损坏故而可以有效地抑制向滤波电容的冲击充电及尖峰干扰有利于提高斩波频率降低装置的成本且改善了控制系统的可靠性此外，它在热循环寿命测试条件下的高安全运行极限达lOpmm@+looc。
IGBT是一种功能强大的电子设备，常被用于电力转换和优化。600VIGBT是其中一种类型,它具有较高的电压承受能力（高为875V），适用于高压应用领域。在电动汽车、太阳能电池板和其他可再生能源系统中，且能够快速开关的器件对于提高能效、降低损耗至关重要,而SiC功率半导体提供了这一优势*此外它们还具有良好的模块化设计，使其适合于自动化生产流程通过使用标准化接口(PI)实现与现有系统的兼容性同时保持指标*因此600vIGTX可以作为下一代大中型电动车零部件集成平台。
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种复合型功率半导体器件，它结合了绝缘栅极和双晶体管的功能。其具有快速开关、高电压和高电流能力等特点使其在电力电子领域得到广泛应用,如变频器控制电路、斩波电源系统以及车载充电机等许多高科技产业中都离不开这种新型的电器元件.与传统的晶闸管的相比而言有着显著的优势：首先它可以关断的情况下导通压降低；其次反向恢复时间短而且无二次击穿现象时的工作频率大大提高;它的门极驱动信号电平低使得制造成本也降低了不少等等吧！总之现在来说的话就是应用范围广是弱小电机理想的控制对象随着微处理器功能强大技术水平的不断提高及其实践的不断深入各种数字控制器问世的同时也为IGBT的发展开辟了一片新天地!
