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空槽模块 1756-N2
2020-07-27 10:23  浏览:30
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品牌:空槽模块 1756-N2
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 空槽模块 1756-N2
空槽模块 1756-N2
空槽模块 1756-N2


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《厦门仲鑫达自动化设备有限公司》

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“基于SiC-MOSFET自然散热设计的一体化伺服电机系统”的控制板、驱动板、功率板为迈信电气自主研发设计。


CoolSiC™ MOSFET的应用优势

1、较低的导通损耗

SiC MOSFET的通态压降由其沟道的RDS(on)决定,而IGBT的通态压降由PN结和漂移区电阻构成。在电机驱动类应用中,通常负载电流区间小于器件的标称电流值,因此SiC MOSFET的导通损耗优于同等规格的IGBT器件。

2、较低的开关损耗

SiC MOSFET开通关断速度均快于IGBT,且没有拖尾电流。常温下,SiC MOSFET的开通损耗约是同等规格IGBT的50%,关断损耗约是20%。值得注意的是,高温下SiC MOSFET开关损耗受结温的影响不大,而IGBT的开关损耗可能增加一倍以上。

3、优异的开关速度可控性

CoolSiC™ MOSFET测试中表现出了优异的可控性,仅通过Rg阻值大小即可调节其开关速度,进而优化Eon,Eoff,dv/dt等指标。


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