8分钟前 SLED宽带光源厂家服务为先「沐普科技」[沐普科技1b75b01]内容：武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求，SLED光源是专门为了传感、光纤螺旋和实验室等这些特殊的领域所专门设计的超光源宽带。SLED光源是由半导体发光器件主要包括发光二极管，也就是人们常说的LED、数码管和显示屏等。但归根结底，这一系列的发光器件都可以被称为发光二极管。sled在生活中的应用已经无处不在，路边的广告牌、电视、液晶屏都可以见到它的身影。
武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求。
目前用于光纤陀螺中的宽带光源主要有两种：超辐射发光二极管(SLD)光源以及放大自发辐射(ASE)光源。前者是光子自发辐射被单程受激放大的半导体光源，因为 SLD 具有单程放大作用，输出功率可达到 mW 量级，且具有窄的光束发散角、宽输出光谱以及较高的稳定的尾纤输出光功率，从而可以获得较高信噪比的干涉信号。而ASE光源是放大自发辐射光，具有更高的输出功率，更宽的光谱，更高的波长稳定性及功率稳定性，多用于高精度光纤陀螺系统中。
先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别，这样可能更好的理解。
超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性，LED是纯粹的自发辐射，功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高，自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子，在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射，受激发射的光子从而呈指数型增加，由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点，即腔内损耗等于增益的时候。
对于光谱特性，SLD是初的自发发射谱和LED相同，但在增益的过程中，靠近中心增益波长的光子得到更大的放大，远离中心增益波长的光子得到的较小的放大，从而使光谱变窄。
对于远场分布特性，SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向，由于LED是随机的自发辐射，方向也都是随机的，在这一方向的发散角是120°左右，而SLD在经过定向的自发放大后，发散角也得到了缩小，接近于LD的状态，一般为20°左右。
